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PMWD-V系列微波晶体管器件老化设备

 

   

符合标准:GJB128等同MIL-STD-750)

适用范围:适应金属陶瓷全密封封装,L、S波段微波器件的老化和筛选试验。

技术性能:

  

PMWD-VS

老化模式

稳态方式

脉冲方式

老化工位

48个工位

48个工位

检测范围

电流

0.1A-10.0A

0.1A-20.0A

电压

0.1V-35.0V

0.1V-50.0V

精度范围

电流

±1% ±1LSB

±1% ±1LSB

电压

±1% ±1LSB

±1% ±1LSB

脉冲信号

脉冲宽度可调范围

10μs10ms,编程步长10μs

占空比可调范围

1%~20,编程步长1

上升沿和下降沿

100nS

脉冲功率

10W-100W

10W-600W

单工位温度控制范围

60℃100℃

60℃100℃

工作特性

1)可进行稳态功率和脉冲信号老化,稳态和脉冲信号老化方式可切换。

2)每个试验器件提供一套老化平台,每套老化平台采用水循环冷却方式并具有单工位加热功能,各工位平台温度单独可调,温度的均匀性好。

3)系统为每个老化器件提供一个温度传感器,能够对每个试验器件的壳温进行监测。

4)老化中系统可实时对每个器件的老化电流、老化电压、散热平台温度进行测试、记录和打印。

5)配置高洁净度老化电源,特有的试验电路有效抑制自激振荡。

6)采用高频电磁波吸收材料和独立的试验电路配置。

7)平台上的各个工位安装屏蔽罩,防止电路相互辐射干扰。

 

  V系列可靠性升级产品
 
  电 池 系 列
  电 源 系 列
  厚膜电路(DC/DC变换器)
 
  可 靠 性 系 列
 
 
 

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