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       半导体分立器件老化试验设备

 

   

 

PWD-HJ系列大功率晶体管老化系统

 符合标准:GJB128(等同MIL-STD-750)GJB548(等同MIL-STD-883)

 适用范围: F型、TO-220TO-3PG型等封装的大功率三极管、MOS管等晶体管进行功率试验。

 技术指标:

  

PWD-HJ

 

产品图片

 

试验容量

50W/72工位;150W/36工位;300W/12工位;500W/16工位

系统分区

4

老化电源

VB电源(3V25V/5A)、VC电源(3V40V/60A

检测误差

≤±1%±1LSB

壳温控制

不大于75℃±5℃;均匀度:不大于±5

制冷单元

制冷功率4kW

电源要求

AC380V50Hz8kW或以下

  

主机约700 kg,制冷系统约200 kg

外形尺寸(宽×高×深)

主机1313mm×1960mm×1180mm

制冷系统 1060mm×1710mm×800mm

 工作特性:

 ●  老化平台采用水冷散热控温方式,冷却水用制冷单元冷却后循环使用。

 ●  具有冷却水水压欠压保护、超压报警,水温超温保护等功能。

 ●     四个老化区域,可同时为四种不同器件提供老化筛选试验条件。

 ●     巡检系统:能自动检测每个工位的电流参数及电压参数。

 ●     可检测老化平台温度。

 ●     可单机独立操作,大屏幕液晶屏和一体化键盘进行人机交互,也可由微机进行集中控制。

 

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