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       微电子电路老化试验设备系列

 

   

ELEA-M存储器老化测试系统

 符合标准:GJB548(等同MIL-STD-883)、GJB 597(等同MIL-M-38510

 适用范围: 适应于对DRAMSDRAMSRAMDDRRDRAMFlash Memory等各类存储器

            进行高温动态老化和测试。

 技术指标:

 

ELEA-M

产品图片

整机分区

48个老化板插槽,4个独立工作区

高温试验箱

最高150℃,温度均匀度:3℃,温度控制器分辨率1

可调风门快速降温装置

数字信号

每板信号通道:48路;比较通道:48路;三态控制:48

每路信号驱动能力:200mA(最大)

TrTf:≤50nsC=1000pf10%~90%

高电平过冲:10%(使用诊断板/接匹配电容)

低电平反冲:10%(使用诊断板/接匹配电容)

高电平范围:1.5V~8V,分辨率:100mV

低电平:≤0.4V

噪声电压:≤500mV

寻址深度:64G

地址模式发生器:X=16bitY=16bit

数据模式发生器:16bit

定时发生器,向量发生器,CS发生器

老化电源(每区)

程控老化电源:DC3~10V/10A;电源可扩展1路(DC3~10V/3A

 工作特性:

 ●  在老化中可对老化器件进行功能测试。

 ●  具有基于WINDOWS平台的软件操作界面和功能,自动分区监视老化状态。

 ●  老化图形的编缉。

 ●  图形转换器。

 ●  老化信息和测试信息显示。

 ●  系统校验功能。

 ●  文件格式的转换。

 

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