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       半导体分立器件老化试验设备系列

 

   

 

DEV-BR 系列桥堆反偏老化系统

 符合标准:GJB128(等同MIL-STD-750)

 适用范围: 用于二极管、半桥和桥堆等器件进行高温反偏试验。

 技术指标:

  

DEV-BR01

DEV-BR02

DEV-BR03

系统分区

16

8

16

试验容量

32×16(桥堆)64×16(二极管)

32×8(桥堆)64×8(二极管)

   32×16(桥堆)     64×16(二极管)

试验温度

最高150℃

双温区,每温区最高150℃

老化电源配置

100V300V600V1200V1500V等规格任选

可配置24

电流

检测

范围

1.0μA10.0A

误差

±2%RD±2LSB

分辨率

0.1μA

电压

检测

范围

01500.0V

误差

±1%RD±1.0V

分辨率

0.1V

老化时间设定范围

1min1000h

电源要求

AC220V50Hz

4kW

3kW

4kW

  

400kg

300kg

400kg

 工作特性:

 ● 可进行试验器件老化电压、漏电流和温度检测,对失效器件进行判断。

 ● 微型打印机可定时打印后台采样数据。

 ● 系统老化板和控制单元采用高隔离与屏蔽技术,提高了系统的抗干扰能力及安全性。

 ● 可单机独立操作,大屏幕液晶屏和一体化键盘进行人机交互,也可由微机进行集中控制。

 ● 试验结束自动生成试验报告,可显示漏电流对应时间、温度的曲线和报表。

 

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