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符合标准：GJB128(等同MIL-STD-750)
适用范围：用于二极管、三极管、场效应管、MOS管和可控硅等器件进行高温反偏（HTRB、
HTIR）试验。
技术性能：
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型
号 |
DEVR-V |
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系统分区 |
16区 |
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试验容量 |
80×16 |
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试验温度 |
最高150℃ |
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老化电源 |
100V、300V、600V、1200V、1500V、2000V等规格任选；可配置2～8路，标准配置4路 |
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电流
检测 |
范围 |
1.0μA～50.0ｍA |
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误差 |
±1.0%RD±2LSB |
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分辨率 |
0.1μA |
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电压
检测 |
范围 |
0～2000.0V |
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误差 |
±0.5%RD±2.0V |
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分辨率 |
0.1V(检测电压≤1000V)；1V(检测电压≥1000V) |
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工作特性 |
老化试验前和老化结束后可进行PN结正向电压检测,对失效器件进行判断;设备内部提供电源转换接口,通过插拔转换的方式实现任何一台电源均可以为16个区提供试验电压. |
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电源要求 |
输入：AC220V,50Hz；整机功率：4kW以下 |
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重
量 |
约400kg |
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外形尺寸（宽×高×深） |
1313mm×1950mm×1350mm |
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